HGK105N15M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGK105N15M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 333 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0104 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de HGK105N15M MOSFET
HGK105N15M Datasheet (PDF)
hgb105n15m hgk105n15m hgp105n15m.pdf

, P-1HGB105N15M HGK105N15MHGP105N15M150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 8.5RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 8.7RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 8.8RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested120 AID (Sillicon Limited) Lead FreeApplication Synch
Otros transistores... HGP095NE4SL , HGB098N10A , HGP098N10A , HGB098N10AL , HGP098N10AL , HGB100N12S , HGP100N12S , HGB105N15M , IRFP460 , HGP105N15M , HGB105N15S , HGP105N15S , HGB105N15SL , HGP105N15SL , HGB110N10SL , HGP110N10SL , HGB110N20S .
History: HGP100N12S | FMA49N20T2 | FMB16N50E | CWDM305ND
History: HGP100N12S | FMA49N20T2 | FMB16N50E | CWDM305ND



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP5N30D | AP5N20D-H | AP5N20D | AP5N15MSI | AP4959A | ATM2320KNSA | ATM2310NSA | ATM2305PSA | ATM2302NSA | ATM2301PSC | ATM2300NSA | ATM1205PSI | ATM10N65TF | ATM10N10SQ | ATM06P50TC | AP40H10NF
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