HGK105N15M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGK105N15M  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0104 Ohm

Тип корпуса: TO-247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGK105N15M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGK105N15M даташит

 ..1. Size:872K  cn hunteck
 hgb105n15m hgk105n15m hgp105n15m.pdf pdf_icon

HGK105N15M

, P-1 HGB105N15M HGK105N15M HGP105N15M 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 8.5 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 8.7 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 8.8 RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 120 A ID (Sillicon Limited) Lead Free Application Synch

Другие IGBT... HGP095NE4SL, HGB098N10A, HGP098N10A, HGB098N10AL, HGP098N10AL, HGB100N12S, HGP100N12S, HGB105N15M, IRFP460, HGP105N15M, HGB105N15S, HGP105N15S, HGB105N15SL, HGP105N15SL, HGB110N10SL, HGP110N10SL, HGB110N20S