Справочник MOSFET. HGK105N15M

 

HGK105N15M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGK105N15M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0104 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для HGK105N15M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGK105N15M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:872K  cn hunteck
 hgb105n15m hgk105n15m hgp105n15m.pdf pdf_icon

HGK105N15M

, P-1HGB105N15M HGK105N15MHGP105N15M150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 8.5RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 8.7RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 8.8RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested120 AID (Sillicon Limited) Lead FreeApplication Synch

Другие MOSFET... HGP095NE4SL , HGB098N10A , HGP098N10A , HGB098N10AL , HGP098N10AL , HGB100N12S , HGP100N12S , HGB105N15M , IRF640 , HGP105N15M , HGB105N15S , HGP105N15S , HGB105N15SL , HGP105N15SL , HGB110N10SL , HGP110N10SL , HGB110N20S .

History: IXTH22N50P | PD548BA | AM4922N

 

 
Back to Top

 


 
.