HGK110N20S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGK110N20S
Código: GK110N20S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 429 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 132 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 56 nC
Tiempo de subida (tr): 22 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 420 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0109 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
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HGK110N20S Datasheet (PDF)
hgb110n20s hgk110n20s hgp110n20s.pdf
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,HGB110N20S HGK110N20S P-1HGP110N20S200V N-Ch Power MOSFETFeature200 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 9.1RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 8.7RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 9.4RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested132 AID (Sillicon Limited) Lead FreeApplication Synch
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