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HGK110N20S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGK110N20S
   Código: GK110N20S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 429 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 132 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 56 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0109 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGK110N20S

 

Principales características: HGK110N20S

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 hgb110n20s hgk110n20s hgp110n20s.pdf pdf_icon

HGK110N20S

, HGB110N20S HGK110N20S P-1 HGP110N20S 200V N-Ch Power MOSFET Feature 200 V VDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 9.1 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 8.7 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 9.4 RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 132 A ID (Sillicon Limited) Lead Free Application Synch

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History: HGP120N10A

 

 
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