Справочник MOSFET. HGK110N20S

 

HGK110N20S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGK110N20S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 429 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 132 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0109 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для HGK110N20S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGK110N20S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:883K  cn hunteck
 hgb110n20s hgk110n20s hgp110n20s.pdf pdf_icon

HGK110N20S

,HGB110N20S HGK110N20S P-1HGP110N20S200V N-Ch Power MOSFETFeature200 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 9.1RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 8.7RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 9.4RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested132 AID (Sillicon Limited) Lead FreeApplication Synch

Другие MOSFET... HGP105N15M , HGB105N15S , HGP105N15S , HGB105N15SL , HGP105N15SL , HGB110N10SL , HGP110N10SL , HGB110N20S , AON6414A , HGP110N20S , HGB115N15S , HGP115N15S , HGB120N10A , HGP120N10A , HGB130N12S , HGP130N12S , HGB155N15S .

History: TK12X60U | SIR440DP | STD65N3LLH5

 

 
Back to Top

 


 
.