HGK110N20S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGK110N20S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 429 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 132 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0109 Ohm

Тип корпуса: TO-247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGK110N20S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGK110N20S даташит

 ..1. Size:883K  cn hunteck
 hgb110n20s hgk110n20s hgp110n20s.pdf pdf_icon

HGK110N20S

, HGB110N20S HGK110N20S P-1 HGP110N20S 200V N-Ch Power MOSFET Feature 200 V VDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 9.1 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 8.7 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 9.4 RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 132 A ID (Sillicon Limited) Lead Free Application Synch

Другие IGBT... HGP105N15M, HGB105N15S, HGP105N15S, HGB105N15SL, HGP105N15SL, HGB110N10SL, HGP110N10SL, HGB110N20S, IRFB4227, HGP110N20S, HGB115N15S, HGP115N15S, HGB120N10A, HGP120N10A, HGB130N12S, HGP130N12S, HGB155N15S