HGB120N10A Todos los transistores

 

HGB120N10A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGB120N10A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 59 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGB120N10A

 

Principales características: HGB120N10A

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HGB120N10A

, HGB120N10A HGP120N10A P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching TO-263 12.0 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 12.0 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 59 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching a

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