Справочник MOSFET. HGB120N10A

 

HGB120N10A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HGB120N10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 59 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для HGB120N10A

 

 

HGB120N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:919K  cn hunteck
 hgb120n10a hgp120n10a.pdf

HGB120N10A HGB120N10A

,HGB120N10A HGP120N10A P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 12.0RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 12.0RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness59 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching a

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top