HGP120N10A Todos los transistores

 

HGP120N10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGP120N10A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 59 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de HGP120N10A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HGP120N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:919K  cn hunteck
 hgb120n10a hgp120n10a.pdf pdf_icon

HGP120N10A

,HGB120N10A HGP120N10A P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 12.0RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 12.0RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness59 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching a

Otros transistores... HGB110N10SL , HGP110N10SL , HGB110N20S , HGK110N20S , HGP110N20S , HGB115N15S , HGP115N15S , HGB120N10A , IRF9540 , HGB130N12S , HGP130N12S , HGB155N15S , HGP155N15S , HGB170N10A , HGP170N10A , HGB170N10AL , HGP170N10AL .

History: SVF6N80DTR | SWP068R68E7T | AONS21309C | SWHA056R68E7T | PNMDP30V60 | J309 | IXTK102N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.