Справочник MOSFET. HGP120N10A

 

HGP120N10A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HGP120N10A
   Маркировка: GP120N10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 59 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для HGP120N10A

 

 

HGP120N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:919K  cn hunteck
 hgb120n10a hgp120n10a.pdf

HGP120N10A HGP120N10A

,HGB120N10A HGP120N10A P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 12.0RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 12.0RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness59 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching a

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top