Справочник MOSFET. HGP120N10A

 

HGP120N10A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGP120N10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 59 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для HGP120N10A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGP120N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:919K  cn hunteck
 hgb120n10a hgp120n10a.pdf pdf_icon

HGP120N10A

,HGB120N10A HGP120N10A P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 12.0RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 12.0RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness59 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching a

Другие MOSFET... HGB110N10SL , HGP110N10SL , HGB110N20S , HGK110N20S , HGP110N20S , HGB115N15S , HGP115N15S , HGB120N10A , IRF9540 , HGB130N12S , HGP130N12S , HGB155N15S , HGP155N15S , HGB170N10A , HGP170N10A , HGB170N10AL , HGP170N10AL .

History: SVG104R5NF | EMP21N03HC | DMN1032UCB4 | BSC050N03MS | CEM6659 | F47W60C3 | 2SK3219-01MR

 

 
Back to Top

 


 
.