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HGP130N12S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGP130N12S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 74 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0122 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGP130N12S

 

Principales características: HGP130N12S

 ..1. Size:1047K  cn hunteck
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HGP130N12S

, HGB130N12S HGP130N12S P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching TO-263 10 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 10.3 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 74 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain

 0.1. Size:910K  cn hunteck
 hgp130n12sl.pdf pdf_icon

HGP130N12S

P-1 HGP130N12SL 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 9.8 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 12.0 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 71 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain

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