HGP130N12S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HGP130N12S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 74 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0122 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для HGP130N12S
HGP130N12S Datasheet (PDF)
hgb130n12s hgp130n12s.pdf

,HGB130N12S HGP130N12S P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 10RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 10.3RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness74 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain
hgp130n12sl.pdf

P-1HGP130N12SL120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level9.8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability12.0RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness71 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain
Другие MOSFET... HGB110N20S , HGK110N20S , HGP110N20S , HGB115N15S , HGP115N15S , HGB120N10A , HGP120N10A , HGB130N12S , IRF630 , HGB155N15S , HGP155N15S , HGB170N10A , HGP170N10A , HGB170N10AL , HGP170N10AL , HGB190N15S , HGP190N15S .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N30D | AP5N20D-H | AP5N20D | AP5N15MSI | AP4959A | ATM2320KNSA | ATM2310NSA | ATM2305PSA | ATM2302NSA | ATM2301PSC | ATM2300NSA | ATM1205PSI | ATM10N65TF | ATM10N10SQ | ATM06P50TC | AP40H10NF
Popular searches
2sc1400 replacement | 2sb817 | mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor