HGB155N15S Todos los transistores

 

HGB155N15S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGB155N15S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 174 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 67 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 183 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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HGB155N15S Datasheet (PDF)

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 hgb155n15s hgp155n15s.pdf pdf_icon

HGB155N15S

,HGB155N15S HGP155N15S P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Smooth Switching 150 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability 13.5RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 67 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit

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History: 25N10G-TF1-T | SMIRF8N65T2TL | 6N65KL-TMS4-T | HGK320N20S | STV160NF02LT4 | 4N70KL-TF1-T | 15NM70G-TM3-T

 

 
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