HGB155N15S Todos los transistores

 

HGB155N15S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGB155N15S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 174 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 67 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 183 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGB155N15S

 

Principales características: HGB155N15S

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 hgb155n15s hgp155n15s.pdf pdf_icon

HGB155N15S

, HGB155N15S HGP155N15S P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Smooth Switching 150 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 13.5 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 67 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit

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