Справочник MOSFET. HGB155N15S

 

HGB155N15S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGB155N15S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 174 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 67 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 183 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для HGB155N15S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB155N15S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1047K  cn hunteck
 hgb155n15s hgp155n15s.pdf pdf_icon

HGB155N15S

,HGB155N15S HGP155N15S P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Smooth Switching 150 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability 13.5RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 67 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit

Другие MOSFET... HGK110N20S , HGP110N20S , HGB115N15S , HGP115N15S , HGB120N10A , HGP120N10A , HGB130N12S , HGP130N12S , STP75NF75 , HGP155N15S , HGB170N10A , HGP170N10A , HGB170N10AL , HGP170N10AL , HGB190N15S , HGP190N15S , HGB195N15S .

History: AM2310N | DH150N12F | CEU12N10L | 4N70KL-TF1-T | 19N10L-TMS2-T | JCS5AN50V

 

 
Back to Top

 


 
.