HGP170N10A Todos los transistores

 

HGP170N10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGP170N10A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 39 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 146 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0195 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de HGP170N10A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HGP170N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:920K  cn hunteck
 hgb170n10a hgp170n10a.pdf pdf_icon

HGP170N10A

HGB170N10A , P-1HGP170N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 16.7RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 17RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness38.6 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain

 0.1. Size:922K  cn hunteck
 hgb170n10al hgp170n10al.pdf pdf_icon

HGP170N10A

, P-1HGB170N10AL HGP170N10AL100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level14RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability22RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness45.3 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification i

Otros transistores... HGP115N15S , HGB120N10A , HGP120N10A , HGB130N12S , HGP130N12S , HGB155N15S , HGP155N15S , HGB170N10A , K3569 , HGB170N10AL , HGP170N10AL , HGB190N15S , HGP190N15S , HGB195N15S , HGP195N15S , HGB200N10SL , HGP200N10SL .

History: KHB7D5N60P1 | IXTQ60N10T | WPM3020 | SM6A24NSFP | CHM1024VGP | AFP8473 | SWP078R08E8T

 

 
Back to Top

 


 
.