HGP170N10A - аналоги и даташиты транзистора

 

HGP170N10A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HGP170N10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 39 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 146 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0195 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для HGP170N10A

 

HGP170N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:920K  cn hunteck
 hgb170n10a hgp170n10a.pdf pdf_icon

HGP170N10A

 0.1. Size:922K  cn hunteck
 hgb170n10al hgp170n10al.pdf pdf_icon

HGP170N10A

, P-1 HGB170N10AL HGP170N10AL 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 14 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 22 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 45.3 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification i

Другие MOSFET... HGP115N15S , HGB120N10A , HGP120N10A , HGB130N12S , HGP130N12S , HGB155N15S , HGP155N15S , HGB170N10A , IRF9540 , HGB170N10AL , HGP170N10AL , HGB190N15S , HGP190N15S , HGB195N15S , HGP195N15S , HGB200N10SL , HGP200N10SL .

History: SI2337DS

 

 
Back to Top

 


 
.