HGP170N10A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HGP170N10A
Маркировка: GP170N10A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 39 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
trⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 146 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0195 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для HGP170N10A
HGP170N10A Datasheet (PDF)
hgb170n10a hgp170n10a.pdf
HGB170N10A , P-1HGP170N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 16.7RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 17RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness38.6 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain
hgb170n10al hgp170n10al.pdf
, P-1HGB170N10AL HGP170N10AL100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level14RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability22RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness45.3 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification i
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: QM1830M3 | SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD