HGB170N10AL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGB170N10AL  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 71 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 147 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0257 Ohm

Encapsulados: TO-263

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de HGB170N10AL MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HGB170N10AL datasheet

 ..1. Size:922K  cn hunteck
 hgb170n10al hgp170n10al.pdf pdf_icon

HGB170N10AL

, P-1 HGB170N10AL HGP170N10AL 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 14 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 22 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 45.3 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification i

 4.1. Size:920K  cn hunteck
 hgb170n10a hgp170n10a.pdf pdf_icon

HGB170N10AL

Otros transistores... HGB120N10A, HGP120N10A, HGB130N12S, HGP130N12S, HGB155N15S, HGP155N15S, HGB170N10A, HGP170N10A, AON7408, HGP170N10AL, HGB190N15S, HGP190N15S, HGB195N15S, HGP195N15S, HGB200N10SL, HGP200N10SL, HGB210N20S