Справочник MOSFET. HGB170N10AL

 

HGB170N10AL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGB170N10AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 147 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0257 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для HGB170N10AL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB170N10AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:922K  cn hunteck
 hgb170n10al hgp170n10al.pdf pdf_icon

HGB170N10AL

, P-1HGB170N10AL HGP170N10AL100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level14RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability22RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness45.3 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification i

 4.1. Size:920K  cn hunteck
 hgb170n10a hgp170n10a.pdf pdf_icon

HGB170N10AL

HGB170N10A , P-1HGP170N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 16.7RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 17RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness38.6 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain

Другие MOSFET... HGB120N10A , HGP120N10A , HGB130N12S , HGP130N12S , HGB155N15S , HGP155N15S , HGB170N10A , HGP170N10A , 2N7000 , HGP170N10AL , HGB190N15S , HGP190N15S , HGB195N15S , HGP195N15S , HGB200N10SL , HGP200N10SL , HGB210N20S .

History: HGB057N15S | OSG60R180HF | 2SK3376MFV | STW8NA60

 

 
Back to Top

 


 
.