HGB190N15S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGB190N15S  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0187 Ohm

Encapsulados: TO-263

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HGB190N15S datasheet

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HGB190N15S

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HGB190N15S

, P-1 HGB195N15S HGP195N15S 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching TO-263 16.0 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 16.3 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 59 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain

Otros transistores... HGB130N12S, HGP130N12S, HGB155N15S, HGP155N15S, HGB170N10A, HGP170N10A, HGB170N10AL, HGP170N10AL, STP75NF75, HGP190N15S, HGB195N15S, HGP195N15S, HGB200N10SL, HGP200N10SL, HGB210N20S, HGK210N20S, HGP210N20S