HGB190N15S Todos los transistores

 

HGB190N15S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGB190N15S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0187 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

 Búsqueda de reemplazo de HGB190N15S MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HGB190N15S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:813K  cn hunteck
 hgb190n15s hgp190n15s.pdf pdf_icon

HGB190N15S

HGB190N15S HGP190N15S P-1,150V N-Ch Power MOSFET150 VVDSFeatureTO-263 15.7RDS(on),typ m Optimized for high speed smooth switchingTO-220 16RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability80 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness120 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication

 9.1. Size:984K  cn hunteck
 hgb195n15s hgp195n15s.pdf pdf_icon

HGB190N15S

, P-1HGB195N15SHGP195N15S150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 16.0RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 16.3RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness59 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain

Otros transistores... HGB130N12S , HGP130N12S , HGB155N15S , HGP155N15S , HGB170N10A , HGP170N10A , HGB170N10AL , HGP170N10AL , SKD502T , HGP190N15S , HGB195N15S , HGP195N15S , HGB200N10SL , HGP200N10SL , HGB210N20S , HGK210N20S , HGP210N20S .

History: 2N65Z

 

 
Back to Top

 


 
.