HGB190N15S - аналоги и даташиты транзистора

 

HGB190N15S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HGB190N15S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0187 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для HGB190N15S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB190N15S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:813K  cn hunteck
 hgb190n15s hgp190n15s.pdf pdf_icon

HGB190N15S

HGB190N15S HGP190N15S P-1,150V N-Ch Power MOSFET150 VVDSFeatureTO-263 15.7RDS(on),typ m Optimized for high speed smooth switchingTO-220 16RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability80 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness120 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication

 9.1. Size:984K  cn hunteck
 hgb195n15s hgp195n15s.pdf pdf_icon

HGB190N15S

, P-1HGB195N15SHGP195N15S150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 16.0RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 16.3RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness59 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain

Другие MOSFET... HGB130N12S , HGP130N12S , HGB155N15S , HGP155N15S , HGB170N10A , HGP170N10A , HGB170N10AL , HGP170N10AL , 12N60 , HGP190N15S , HGB195N15S , HGP195N15S , HGB200N10SL , HGP200N10SL , HGB210N20S , HGK210N20S , HGP210N20S .

History: ELM33402CA | IPD380P06NM | DMJ70H1D3SH3 | 2SK3354-Z | SSF5NS65UD | TPC8203 | BLM08P02-E

 

 
Back to Top

 


 
.