HGB190N15S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HGB190N15S
Маркировка: GB190N15S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 214 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 27 nC
Время нарастания (tr): 29 ns
Выходная емкость (Cd): 165 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0187 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для HGB190N15S
HGB190N15S Datasheet (PDF)
hgb190n15s hgp190n15s.pdf
HGB190N15S HGP190N15S P-1,150V N-Ch Power MOSFET150 VVDSFeatureTO-263 15.7RDS(on),typ m Optimized for high speed smooth switchingTO-220 16RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability80 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness120 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication
hgb195n15s hgp195n15s.pdf
, P-1HGB195N15SHGP195N15S150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 16.0RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 16.3RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness59 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
