HGB200N10SL Todos los transistores

 

HGB200N10SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGB200N10SL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 104 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0197 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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HGB200N10SL Datasheet (PDF)

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 hgb200n10sl hgp200n10sl.pdf pdf_icon

HGB200N10SL

HGB200N10SL HGP200N10SL P-1,100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching,Logic Level15.2RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability19.7RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness15.5RDS(on),typ VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested20.0RDS(on),typ VGS=4.5V m Lead Free, Halogen Free47

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History: AFP6405WS | WST3407A | IXTH10N60 | 25N10G-TN3-R | IXTQ76N25T | FQU5P20 | ET6300

 

 
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