HGB200N10SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HGB200N10SL
   Código: GB200N10SL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 19.9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 104 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0197 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

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HGB200N10SL Datasheet (PDF)

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hgb200n10sl hgp200n10sl.pdf

HGB200N10SL HGP200N10SL P-1,100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching,Logic Level15.2RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability19.7RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness15.5RDS(on),typ VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested20.0RDS(on),typ VGS=4.5V m Lead Free, Halogen Free47

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: