HGB200N10SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGB200N10SL
Código: GB200N10SL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 79 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 47 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
Carga de la puerta (Qg): 19.9 nC
Tiempo de subida (tr): 3 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 104 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0197 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGB200N10SL
HGB200N10SL Datasheet (PDF)
hgb200n10sl hgp200n10sl.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HGB200N10SL HGP200N10SL P-1,100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching,Logic Level15.2RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability19.7RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness15.5RDS(on),typ VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested20.0RDS(on),typ VGS=4.5V m Lead Free, Halogen Free47
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: HUF75842S3S