Справочник MOSFET. HGB200N10SL

 

HGB200N10SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGB200N10SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0197 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB200N10SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:821K  cn hunteck
 hgb200n10sl hgp200n10sl.pdf pdf_icon

HGB200N10SL

HGB200N10SL HGP200N10SL P-1,100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching,Logic Level15.2RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability19.7RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness15.5RDS(on),typ VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested20.0RDS(on),typ VGS=4.5V m Lead Free, Halogen Free47

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: AM2323P | SDF06N60 | IAUC100N10S5N040 | STU601S | BSC060P03NS3EG | AP09T10GK | WMQ26P02TS

 

 
Back to Top

 


 
.