HGB200N10SL - описание и поиск аналогов

 

HGB200N10SL - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HGB200N10SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0197 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для HGB200N10SL

 

HGB200N10SL технические параметры

 ..1. Size:821K  cn hunteck
 hgb200n10sl hgp200n10sl.pdf pdf_icon

HGB200N10SL

HGB200N10SL HGP200N10SL P-1 , 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching,Logic Level 15.2 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 19.7 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 15.5 RDS(on),typ VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 20.0 RDS(on),typ VGS=4.5V m Lead Free, Halogen Free 47

Другие MOSFET... HGB170N10A , HGP170N10A , HGB170N10AL , HGP170N10AL , HGB190N15S , HGP190N15S , HGB195N15S , HGP195N15S , IRLB4132 , HGP200N10SL , HGB210N20S , HGK210N20S , HGP210N20S , HGB220N25S , HGK220N25S , HGP220N25S , HGB290N10SL .

History: JMPF12N60BJ

 

 
Back to Top

 


 
.