HGB200N10SL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGB200N10SL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0197 Ohm

Тип корпуса: TO-263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGB200N10SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB200N10SL даташит

 ..1. Size:821K  cn hunteck
 hgb200n10sl hgp200n10sl.pdf pdf_icon

HGB200N10SL

HGB200N10SL HGP200N10SL P-1 , 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching,Logic Level 15.2 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 19.7 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 15.5 RDS(on),typ VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 20.0 RDS(on),typ VGS=4.5V m Lead Free, Halogen Free 47

Другие IGBT... HGB170N10A, HGP170N10A, HGB170N10AL, HGP170N10AL, HGB190N15S, HGP190N15S, HGB195N15S, HGP195N15S, IRLB4132, HGP200N10SL, HGB210N20S, HGK210N20S, HGP210N20S, HGB220N25S, HGK220N25S, HGP220N25S, HGB290N10SL