HGP200N10SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGP200N10SL
Código: GP200N10SL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 79 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 47 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
Carga de la puerta (Qg): 19.9 nC
Tiempo de subida (tr): 3 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 104 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0197 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
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HGP200N10SL Datasheet (PDF)
hgb200n10sl hgp200n10sl.pdf
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HGB200N10SL HGP200N10SL P-1,100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching,Logic Level15.2RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability19.7RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness15.5RDS(on),typ VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested20.0RDS(on),typ VGS=4.5V m Lead Free, Halogen Free47
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .