HGP200N10SL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HGP200N10SL
Маркировка: GP200N10SL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 79 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 47 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 19.9 nC
Время нарастания (tr): 3 ns
Выходная емкость (Cd): 104 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0197 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для HGP200N10SL
HGP200N10SL Datasheet (PDF)
..1. Size:821K cn hunteck
hgb200n10sl hgp200n10sl.pdf
hgb200n10sl hgp200n10sl.pdf
HGB200N10SL HGP200N10SL P-1,100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching,Logic Level15.2RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability19.7RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness15.5RDS(on),typ VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested20.0RDS(on),typ VGS=4.5V m Lead Free, Halogen Free47
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
