HGB210N20S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HGB210N20S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

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HGB210N20S Datasheet (PDF)

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hgb210n20s hgk210n20s hgp210n20s.pdf

, P-1HGB210N20S HGK210N20SHGP210N20S200V N-Ch Power MOSFETFeature200 VVDS High Speed Power Smooth Switching16RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability70 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSTO-263 TO-220 Hard Switching and Hig

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History: FDM30R650AN4G

Liste

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