Справочник MOSFET. HGB210N20S

 

HGB210N20S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGB210N20S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для HGB210N20S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB210N20S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1042K  cn hunteck
 hgb210n20s hgk210n20s hgp210n20s.pdf pdf_icon

HGB210N20S

, P-1HGB210N20S HGK210N20SHGP210N20S200V N-Ch Power MOSFETFeature200 VVDS High Speed Power Smooth Switching16RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability70 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSTO-263 TO-220 Hard Switching and Hig

Другие MOSFET... HGB170N10AL , HGP170N10AL , HGB190N15S , HGP190N15S , HGB195N15S , HGP195N15S , HGB200N10SL , HGP200N10SL , SPP20N60C3 , HGK210N20S , HGP210N20S , HGB220N25S , HGK220N25S , HGP220N25S , HGB290N10SL , HGP290N10SL , HGB320N20S .

History: PJA94N03 | DMG4466SSS | DMP2123LQ | AT10N65S | RSS140N03TB | UT4392 | YJQ40G10A

 

 
Back to Top

 


 
.