HGB210N20S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGB210N20S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm

Тип корпуса: TO-263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGB210N20S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB210N20S даташит

 ..1. Size:1042K  cn hunteck
 hgb210n20s hgk210n20s hgp210n20s.pdf pdf_icon

HGB210N20S

, P-1 HGB210N20S HGK210N20S HGP210N20S 200V N-Ch Power MOSFET Feature 200 V VDS High Speed Power Smooth Switching 16 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 70 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS TO-263 TO-220 Hard Switching and Hig

Другие IGBT... HGB170N10AL, HGP170N10AL, HGB190N15S, HGP190N15S, HGB195N15S, HGP195N15S, HGB200N10SL, HGP200N10SL, K3569, HGK210N20S, HGP210N20S, HGB220N25S, HGK220N25S, HGP220N25S, HGB290N10SL, HGP290N10SL, HGB320N20S