HGP220N25S Todos los transistores

 

HGP220N25S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGP220N25S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 429 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 93 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 348 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0219 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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HGP220N25S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:886K  cn hunteck
 hgb220n25s hgk220n25s hgp220n25s.pdf pdf_icon

HGP220N25S

,HGB220N25S HGK220N25S P-1HGP220N25S250V N-Ch Power MOSFETFeature250 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 16.3RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 15.5RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 16.6RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested93 AID (Sillicon Limited) Lead Free180 AID (Package L

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History: IPS110N12N3 | HM2015DN03Q | FQD6P25TF | AP5600N | SWNC4N65DC | 2N7002BKV | 2SK1727

 

 
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