HGP220N25S - описание и поиск аналогов

 

HGP220N25S - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HGP220N25S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 429 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 93 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 348 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0219 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для HGP220N25S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGP220N25S технические параметры

 ..1. Size:886K  cn hunteck
 hgb220n25s hgk220n25s hgp220n25s.pdf pdf_icon

HGP220N25S

, HGB220N25S HGK220N25S P-1 HGP220N25S 250V N-Ch Power MOSFET Feature 250 V VDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 16.3 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 15.5 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 16.6 RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 93 A ID (Sillicon Limited) Lead Free 180 A ID (Package L

Другие MOSFET... HGP195N15S , HGB200N10SL , HGP200N10SL , HGB210N20S , HGK210N20S , HGP210N20S , HGB220N25S , HGK220N25S , K4145 , HGB290N10SL , HGP290N10SL , HGB320N20S , HGK320N20S , HGP320N20S , HGB390N25S , HGP390N25S , HGK390N25S .

 

 
Back to Top

 


 
.