HGB290N10SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGB290N10SL
Código: GB290N10SL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 63 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 31 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
Carga de la puerta (Qg): 13.5 nC
Tiempo de subida (tr): 4 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 62 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0287 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
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HGB290N10SL Datasheet (PDF)
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HGB290N10SL , HGP290N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level22.7RDS(on),typ TO-263 VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capabilityVGS=4.5V27.7RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness23.0RDS(on),typ TO-220 VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg TestedVGS=4.5V28RDS(on),typ m Lead Free, Hal
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