HGB290N10SL Todos los transistores

 

HGB290N10SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGB290N10SL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0287 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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HGB290N10SL Datasheet (PDF)

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 hgb290n10sl hgp290n10sl.pdf pdf_icon

HGB290N10SL

HGB290N10SL , HGP290N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level22.7RDS(on),typ TO-263 VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capabilityVGS=4.5V27.7RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness23.0RDS(on),typ TO-220 VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg TestedVGS=4.5V28RDS(on),typ m Lead Free, Hal

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History: APT10045LLLG | TK4Q60DA | IPW65R080CFDA | CS12N60FA9H | MS65R170B

 

 
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