Справочник MOSFET. HGB290N10SL

 

HGB290N10SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGB290N10SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0287 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для HGB290N10SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB290N10SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:818K  cn hunteck
 hgb290n10sl hgp290n10sl.pdf pdf_icon

HGB290N10SL

HGB290N10SL , HGP290N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level22.7RDS(on),typ TO-263 VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capabilityVGS=4.5V27.7RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness23.0RDS(on),typ TO-220 VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg TestedVGS=4.5V28RDS(on),typ m Lead Free, Hal

Другие MOSFET... HGB200N10SL , HGP200N10SL , HGB210N20S , HGK210N20S , HGP210N20S , HGB220N25S , HGK220N25S , HGP220N25S , TK10A60D , HGP290N10SL , HGB320N20S , HGK320N20S , HGP320N20S , HGB390N25S , HGP390N25S , HGK390N25S , HGB480N15M .

History: TP2435 | CED02N65A | IPA50R520CP | SVF2N65N | BUK714R1-40BT | 2SK3982-01MR

 

 
Back to Top

 


 
.