HGB290N10SL - описание и поиск аналогов

 

HGB290N10SL - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HGB290N10SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0287 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для HGB290N10SL

 

HGB290N10SL технические параметры

 ..1. Size:818K  cn hunteck
 hgb290n10sl hgp290n10sl.pdf pdf_icon

HGB290N10SL

HGB290N10SL , HGP290N10SL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 22.7 RDS(on),typ TO-263 VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability VGS=4.5V 27.7 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness 23.0 RDS(on),typ TO-220 VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS=4.5V 28 RDS(on),typ m Lead Free, Hal

Другие MOSFET... HGB200N10SL , HGP200N10SL , HGB210N20S , HGK210N20S , HGP210N20S , HGB220N25S , HGK220N25S , HGP220N25S , 13N50 , HGP290N10SL , HGB320N20S , HGK320N20S , HGP320N20S , HGB390N25S , HGP390N25S , HGK390N25S , HGB480N15M .

 

 
Back to Top

 


 
.