HGB320N20S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGB320N20S  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 51 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 124 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm

Encapsulados: TO-263

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HGB320N20S datasheet

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 hgb320n20s hgk320n20s hgp320n20s.pdf pdf_icon

HGB320N20S

, HGB320N20S HGP320N20S P-1 HGK320N20S 200V N-Ch Power MOSFET Feature 200 V VDS High Speed Power Switching TO-263 28 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 28 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 28 RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 51 A ID Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS

Otros transistores... HGB210N20S, HGK210N20S, HGP210N20S, HGB220N25S, HGK220N25S, HGP220N25S, HGB290N10SL, HGP290N10SL, 12N60, HGK320N20S, HGP320N20S, HGB390N25S, HGP390N25S, HGK390N25S, HGB480N15M, HGP480N15M, HGB640N25S