HGB320N20S Todos los transistores

 

HGB320N20S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGB320N20S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 51 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 124 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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HGB320N20S Datasheet (PDF)

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 hgb320n20s hgk320n20s hgp320n20s.pdf pdf_icon

HGB320N20S

,HGB320N20S HGP320N20S P-1HGK320N20S200V N-Ch Power MOSFETFeature200 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 28RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 28RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 28RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested51 AID Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS

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History: AUIRF7736M2TR1 | NTD4804NA-1G

 

 
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