HGB320N20S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGB320N20S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: TO-263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGB320N20S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB320N20S даташит

 ..1. Size:875K  cn hunteck
 hgb320n20s hgk320n20s hgp320n20s.pdf pdf_icon

HGB320N20S

, HGB320N20S HGP320N20S P-1 HGK320N20S 200V N-Ch Power MOSFET Feature 200 V VDS High Speed Power Switching TO-263 28 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 28 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 28 RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 51 A ID Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS

Другие IGBT... HGB210N20S, HGK210N20S, HGP210N20S, HGB220N25S, HGK220N25S, HGP220N25S, HGB290N10SL, HGP290N10SL, 12N60, HGK320N20S, HGP320N20S, HGB390N25S, HGP390N25S, HGK390N25S, HGB480N15M, HGP480N15M, HGB640N25S