HGB320N20S - описание и поиск аналогов

 

HGB320N20S - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HGB320N20S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для HGB320N20S

 

HGB320N20S технические параметры

 ..1. Size:875K  cn hunteck
 hgb320n20s hgk320n20s hgp320n20s.pdf pdf_icon

HGB320N20S

, HGB320N20S HGP320N20S P-1 HGK320N20S 200V N-Ch Power MOSFET Feature 200 V VDS High Speed Power Switching TO-263 28 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 28 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 28 RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 51 A ID Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS

Другие MOSFET... HGB210N20S , HGK210N20S , HGP210N20S , HGB220N25S , HGK220N25S , HGP220N25S , HGB290N10SL , HGP290N10SL , 12N60 , HGK320N20S , HGP320N20S , HGB390N25S , HGP390N25S , HGK390N25S , HGB480N15M , HGP480N15M , HGB640N25S .

History: HGP220N25S

 

 
Back to Top

 


 
.