HGB390N25S Todos los transistores

 

HGB390N25S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGB390N25S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 172 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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HGB390N25S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1050K  cn hunteck
 hgb390n25s hgp390n25s hgk390n25s.pdf pdf_icon

HGB390N25S

, P-1HGB390N25S HGP390N25SHGK390N25S250V N-Ch Power MOSFETFeature250 VVDS High Speed Power Smooth Switching31RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability50 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit

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History: IRF7469PBF-1 | IRF7469PBF | BSC042N03MSG | IRF7460 | IRF7466PBF

 

 
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