Справочник MOSFET. HGB390N25S

 

HGB390N25S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGB390N25S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 172 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB390N25S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1050K  cn hunteck
 hgb390n25s hgp390n25s hgk390n25s.pdf pdf_icon

HGB390N25S

, P-1HGB390N25S HGP390N25SHGK390N25S250V N-Ch Power MOSFETFeature250 VVDS High Speed Power Smooth Switching31RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability50 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: NCE70N290D | PH2530AL | UF630L-TN3-R | 2SK2043LS | NCEP058N85D | BUK9Y07-30B | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.