Справочник MOSFET. HGB390N25S

 

HGB390N25S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGB390N25S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 172 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для HGB390N25S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB390N25S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1050K  cn hunteck
 hgb390n25s hgp390n25s hgk390n25s.pdf pdf_icon

HGB390N25S

, P-1HGB390N25S HGP390N25SHGK390N25S250V N-Ch Power MOSFETFeature250 VVDS High Speed Power Smooth Switching31RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability50 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit

Другие MOSFET... HGB220N25S , HGK220N25S , HGP220N25S , HGB290N10SL , HGP290N10SL , HGB320N20S , HGK320N20S , HGP320N20S , AON7506 , HGP390N25S , HGK390N25S , HGB480N15M , HGP480N15M , HGB640N25S , HGK640N25S , HGP640N25S , HGD028NE6A .

History: CJ3139KDW | MTW35N15E | IXTQ96N15P | SIHFBE20 | FDS5170N7 | AD8N60S

 

 
Back to Top

 


 
.