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HGP390N25S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGP390N25S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 172 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGP390N25S

 

Principales características: HGP390N25S

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 hgb390n25s hgp390n25s hgk390n25s.pdf pdf_icon

HGP390N25S

, P-1 HGB390N25S HGP390N25S HGK390N25S 250V N-Ch Power MOSFET Feature 250 V VDS High Speed Power Smooth Switching 31 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 50 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit

Otros transistores... HGK220N25S , HGP220N25S , HGB290N10SL , HGP290N10SL , HGB320N20S , HGK320N20S , HGP320N20S , HGB390N25S , AON6380 , HGK390N25S , HGB480N15M , HGP480N15M , HGB640N25S , HGK640N25S , HGP640N25S , HGD028NE6A , HGD028NE6AL .

 

 
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