HGP390N25S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGP390N25S  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 172 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm

Encapsulados: TO-220

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de HGP390N25S MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HGP390N25S datasheet

 ..1. Size:1050K  cn hunteck
 hgb390n25s hgp390n25s hgk390n25s.pdf pdf_icon

HGP390N25S

, P-1 HGB390N25S HGP390N25S HGK390N25S 250V N-Ch Power MOSFET Feature 250 V VDS High Speed Power Smooth Switching 31 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 50 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit

Otros transistores... HGK220N25S, HGP220N25S, HGB290N10SL, HGP290N10SL, HGB320N20S, HGK320N20S, HGP320N20S, HGB390N25S, AON6380, HGK390N25S, HGB480N15M, HGP480N15M, HGB640N25S, HGK640N25S, HGP640N25S, HGD028NE6A, HGD028NE6AL