HGP390N25S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGP390N25S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 172 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGP390N25S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGP390N25S даташит

 ..1. Size:1050K  cn hunteck
 hgb390n25s hgp390n25s hgk390n25s.pdf pdf_icon

HGP390N25S

, P-1 HGB390N25S HGP390N25S HGK390N25S 250V N-Ch Power MOSFET Feature 250 V VDS High Speed Power Smooth Switching 31 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 50 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit

Другие IGBT... HGK220N25S, HGP220N25S, HGB290N10SL, HGP290N10SL, HGB320N20S, HGK320N20S, HGP320N20S, HGB390N25S, AON6380, HGK390N25S, HGB480N15M, HGP480N15M, HGB640N25S, HGK640N25S, HGP640N25S, HGD028NE6A, HGD028NE6AL