HGD028NE6AL Todos los transistores

 

HGD028NE6AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGD028NE6AL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1625 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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HGD028NE6AL Datasheet (PDF)

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HGD028NE6AL

HGD028NE6AL P-165V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level2.4RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability3.4RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness168 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested120 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Re

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HGD028NE6AL

HGD028NE6A P-165V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Switching2.6RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability160 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness120 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and H

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HGD028NE6AL

HGD029NE4SL P-145V N-Ch Power MOSFET45 VVDSFeature2.5RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic Level3.2RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability156 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness70 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Syn

Otros transistores... HGP390N25S , HGK390N25S , HGB480N15M , HGP480N15M , HGB640N25S , HGK640N25S , HGP640N25S , HGD028NE6A , P60NF06 , HGD029NE4SL , HGD032NE4S , HGD035N08A , HGD035N08AL , HGD040N06S , HGD040N06SL , HGI040N06SL , HGD045NE4SL .

History: S80N10RN | IXTH12N120

 

 
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