HGD028NE6AL datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: HGD028NE6AL 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 65 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1625 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
Тип корпуса: TO-252
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для HGD028NE6AL
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
HGD028NE6AL даташит
hgd028ne6al.pdf
HGD028NE6AL P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 2.4 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 3.4 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 168 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 120 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Re
hgd028ne6a.pdf
HGD028NE6A P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching 2.6 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 160 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 120 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and H
hgd029ne4sl.pdf
HGD029NE4SL P-1 45V N-Ch Power MOSFET 45 V VDS Feature 2.5 RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic Level 3.2 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability 156 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 70 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Syn
Другие IGBT... HGP390N25S, HGK390N25S, HGB480N15M, HGP480N15M, HGB640N25S, HGK640N25S, HGP640N25S, HGD028NE6A, AO4407, HGD029NE4SL, HGD032NE4S, HGD035N08A, HGD035N08AL, HGD040N06S, HGD040N06SL, HGI040N06SL, HGD045NE4SL
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525 | tip73



