HGD028NE6AL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HGD028NE6AL
Маркировка: GD028NE6AL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 65 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 68 nC
Время нарастания (tr): 13 ns
Выходная емкость (Cd): 1625 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0028 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для HGD028NE6AL
HGD028NE6AL Datasheet (PDF)
hgd028ne6al.pdf
HGD028NE6AL P-165V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level2.4RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability3.4RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness168 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested120 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Re
hgd028ne6a.pdf
HGD028NE6A P-165V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Switching2.6RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability160 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness120 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and H
hgd029ne4sl.pdf
HGD029NE4SL P-145V N-Ch Power MOSFET45 VVDSFeature2.5RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic Level3.2RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability156 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness70 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Syn
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
