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HGD029NE4SL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGD029NE4SL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1367 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0029 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGD029NE4SL

 

Principales características: HGD029NE4SL

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HGD029NE4SL

HGD029NE4SL P-1 45V N-Ch Power MOSFET 45 V VDS Feature 2.5 RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic Level 3.2 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability 156 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 70 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Syn

 9.1. Size:900K  cn hunteck
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HGD029NE4SL

HGD028NE6AL P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 2.4 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 3.4 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 168 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 120 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Re

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HGD029NE4SL

HGD028NE6A P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching 2.6 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 160 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 120 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and H

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