HGD029NE4SL datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: HGD029NE4SL 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 45 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1367 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm
Тип корпуса: TO-252
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для HGD029NE4SL
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
HGD029NE4SL даташит
hgd029ne4sl.pdf
HGD029NE4SL P-1 45V N-Ch Power MOSFET 45 V VDS Feature 2.5 RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic Level 3.2 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability 156 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 70 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Syn
hgd028ne6al.pdf
HGD028NE6AL P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 2.4 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 3.4 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 168 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 120 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Re
hgd028ne6a.pdf
HGD028NE6A P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching 2.6 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 160 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 120 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and H
Другие IGBT... HGK390N25S, HGB480N15M, HGP480N15M, HGB640N25S, HGK640N25S, HGP640N25S, HGD028NE6A, HGD028NE6AL, BS170, HGD032NE4S, HGD035N08A, HGD035N08AL, HGD040N06S, HGD040N06SL, HGI040N06SL, HGD045NE4SL, HGD046NE6A
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: HGD046NE6AL | AP40P05
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BLM3404 | BL4N90 | SI2309S | SI2301F | BMSN3139 | BMS2302 | BMS2301 | BMDFN2302 | BMDFN2301 | BM8205 | BM3139KT | BM3134KE | BM3134E | AO3415E | AO3401F | CS65N25AKR
Popular searches
2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525 | tip73 | 2n3392



