HGD050N10A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGD050N10A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 115 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 571 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0053 Ohm

Encapsulados: TO-252

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HGD050N10A datasheet

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HGD050N10A

P-1 HGD050N10A 100V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 100 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 4.8 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 115 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power Tools TO-

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HGD050N10A

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HGD050N10A

HGD058N08SL P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching,Logic Level 4.3 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 5.9 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 110 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 70 A ID (Package Limited) Lead Free Application Synchronous Rectification

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HGD050N10A

, P-1 HGD059N08AL HGI059N08AL 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching, Logic level 4.6 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 7.3 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 88 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification i

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