HGD050N10A datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: HGD050N10A 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 115 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 571 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm
Тип корпуса: TO-252
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для HGD050N10A
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
HGD050N10A даташит
hgd050n10a.pdf
P-1 HGD050N10A 100V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 100 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 4.8 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 115 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power Tools TO-
hgd058n08sl.pdf
HGD058N08SL P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching,Logic Level 4.3 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 5.9 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 110 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 70 A ID (Package Limited) Lead Free Application Synchronous Rectification
hgd059n08al hgi059n08al.pdf
, P-1 HGD059N08AL HGI059N08AL 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching, Logic level 4.6 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 7.3 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 88 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification i
Другие IGBT... HGD035N08A, HGD035N08AL, HGD040N06S, HGD040N06SL, HGI040N06SL, HGD045NE4SL, HGD046NE6A, HGD046NE6AL, 18N50, HGD053N06S, HGD053N06SL, HGI053N06SL, HGD058N08SL, HGD059N08A, HGI059N08A, HGD059N08AL, HGI059N08AL
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: HGD090NE6A | HGD035N08AL
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BLM3404 | BL4N90 | SI2309S | SI2301F | BMSN3139 | BMS2302 | BMS2301 | BMDFN2302 | BMDFN2301 | BM8205 | BM3139KT | BM3134KE | BM3134E | AO3415E | AO3401F | CS65N25AKR
Popular searches
a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent






