HGD077N10SL Todos los transistores

 

HGD077N10SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGD077N10SL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0077 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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HGD077N10SL Datasheet (PDF)

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 hgd077n10sl hgi077n10sl.pdf pdf_icon

HGD077N10SL

HGD077N10SL , HGI077N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFET100 VVDSFeature6.4RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching,Logic level7.8RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability105 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness70 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeAppli

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History: SL100N08 | 2P980A | STE30NK90Z | FQD13N06LTF | PHN210T | AM4812 | APT5024BLL

 

 
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