HGD077N10SL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGD077N10SL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0077 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGD077N10SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGD077N10SL даташит

 ..1. Size:918K  cn hunteck
 hgd077n10sl hgi077n10sl.pdf pdf_icon

HGD077N10SL

HGD077N10SL , HGI077N10SL P-1 100V N-Ch Power MOSFET 100 V VDS Feature 6.4 RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching,Logic level 7.8 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability 105 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 70 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Appli

Другие IGBT... HGD053N06S, HGD053N06SL, HGI053N06SL, HGD058N08SL, HGD059N08A, HGI059N08A, HGD059N08AL, HGI059N08AL, 75N75, HGI077N10SL, HGD080N10A, HGI080N10A, HGD080N10AL, HGI080N10AL, HGD090NE6A, HGI090NE6A, HGD090NE6AL