Справочник MOSFET. HGD077N10SL

 

HGD077N10SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGD077N10SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0077 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для HGD077N10SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGD077N10SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:918K  cn hunteck
 hgd077n10sl hgi077n10sl.pdf pdf_icon

HGD077N10SL

HGD077N10SL , HGI077N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFET100 VVDSFeature6.4RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching,Logic level7.8RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability105 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness70 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeAppli

Другие MOSFET... HGD053N06S , HGD053N06SL , HGI053N06SL , HGD058N08SL , HGD059N08A , HGI059N08A , HGD059N08AL , HGI059N08AL , IRF520 , HGI077N10SL , HGD080N10A , HGI080N10A , HGD080N10AL , HGI080N10AL , HGD090NE6A , HGI090NE6A , HGD090NE6AL .

History: VBA1310S | AO3415A | 2SK2162 | BUK9M53-60E | STD86N3LH5 | DMN3018SSS-13

 

 
Back to Top

 


 
.