Справочник MOSFET. HGD077N10SL

 

HGD077N10SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGD077N10SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0077 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HGD077N10SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:918K  cn hunteck
 hgd077n10sl hgi077n10sl.pdf pdf_icon

HGD077N10SL

HGD077N10SL , HGI077N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFET100 VVDSFeature6.4RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching,Logic level7.8RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability105 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness70 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeAppli

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SJ451 | SL8205S | 2SK3572-Z | APT56M60B2 | CJ3134KW | AP25N10GH-HF | QM2413K

 

 
Back to Top

 


 
.