HGI110N08AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HGI110N08AL
   Código: GI110N08AL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 63 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
   Carga de la puerta (Qg): 23 nC
   Tiempo de subida (tr): 3 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 205 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0115 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGI110N08AL

HGI110N08AL Datasheet (PDF)

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hgd110n08al hgi110n08al.pdf

HGD110N08AL , HGI110N08AL P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching, Logic level 9.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability13.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness50 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in

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hgd110n08a hgi110n08a.pdf

HGD110N08A , HGI110N08A P-180V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching80 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability9.6RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness51 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circuit

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hgd110n10sl hgi110n10sl.pdf

HGD110N10SL , HGI110N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level9.0RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability11RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness73 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested70 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication

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