HGI110N08AL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HGI110N08AL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 63 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Время нарастания (tr): 3 ns
Выходная емкость (Cd): 205 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0115 Ohm
Тип корпуса: TO-251
Аналог (замена) для HGI110N08AL
HGI110N08AL Datasheet (PDF)
hgd110n08al hgi110n08al.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HGD110N08AL , HGI110N08AL P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching, Logic level 9.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability13.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness50 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in
hgd110n08a hgi110n08a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HGD110N08A , HGI110N08A P-180V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching80 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability9.6RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness51 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circuit
hgd110n10sl hgi110n10sl.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HGD110N10SL , HGI110N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level9.0RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability11RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness73 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested70 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
![HGI110N08AL](https://alltransistors.com/images/us.png)
![HGI110N08AL](https://alltransistors.com/images/es.png)
![HGI110N08AL](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C