HGD155N15S Todos los transistores

 

HGD155N15S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGD155N15S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 143 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 61 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 183 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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Principales características: HGD155N15S

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HGD155N15S

P-1 HGD155N15S 150V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Smooth Switching 150 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 13 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 61 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power Tools Drain

Otros transistores... HGD110N08A , HGI110N08A , HGD110N08AL , HGI110N08AL , HGD110N10SL , HGI110N10SL , HGD120N06SL , HGI120N06SL , 50N06 , HGD170N10A , HGI170N10A , HGD170N10AL , HGI170N10AL , HGD190N15SL , HGD195N15S , HGD195N15SL , HGD1K2N20ML .

 

 
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