HGD155N15S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HGD155N15S
   Código: GD155N15S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 143 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 61 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 29 nC
   Tiempo de subida (tr): 8 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 183 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGD155N15S

HGD155N15S Datasheet (PDF)

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hgd155n15s.pdf

P-1HGD155N15S150V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Smooth Switching150 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability13RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness61 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power ToolsDrain

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Liste

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