Справочник MOSFET. HGD155N15S

 

HGD155N15S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGD155N15S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 143 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 183 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для HGD155N15S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGD155N15S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:910K  cn hunteck
 hgd155n15s.pdf pdf_icon

HGD155N15S

P-1HGD155N15S150V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Smooth Switching150 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability13RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness61 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power ToolsDrain

Другие MOSFET... HGD110N08A , HGI110N08A , HGD110N08AL , HGI110N08AL , HGD110N10SL , HGI110N10SL , HGD120N06SL , HGI120N06SL , 50N06 , HGD170N10A , HGI170N10A , HGD170N10AL , HGI170N10AL , HGD190N15SL , HGD195N15S , HGD195N15SL , HGD1K2N20ML .

History: IRF3205PBF | 2SK2864 | TSM9428DCS | NCE8205 | IRFY330C | AP4578GM | ZXMN7A11GTA

 

 
Back to Top

 


 
.