HGD155N15S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGD155N15S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 143 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 183 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGD155N15S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGD155N15S даташит

 ..1. Size:910K  cn hunteck
 hgd155n15s.pdf pdf_icon

HGD155N15S

P-1 HGD155N15S 150V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Smooth Switching 150 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 13 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 61 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power Tools Drain

Другие IGBT... HGD110N08A, HGI110N08A, HGD110N08AL, HGI110N08AL, HGD110N10SL, HGI110N10SL, HGD120N06SL, HGI120N06SL, 50N06, HGD170N10A, HGI170N10A, HGD170N10AL, HGI170N10AL, HGD190N15SL, HGD195N15S, HGD195N15SL, HGD1K2N20ML