HGD155N15S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HGD155N15S
Маркировка: GD155N15S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 143 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 61 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 29 nC
Время нарастания (tr): 8 ns
Выходная емкость (Cd): 183 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.016 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для HGD155N15S
HGD155N15S Datasheet (PDF)
..1. Size:910K cn hunteck
hgd155n15s.pdf
hgd155n15s.pdf
P-1HGD155N15S150V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Smooth Switching150 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability13RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness61 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power ToolsDrain
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
