HGI1K2N20ML Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGI1K2N20ML  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm

Encapsulados: TO-251

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HGI1K2N20ML datasheet

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HGI1K2N20ML

HGD1K2N20ML , HGI1K2N20ML P-1 200V N-Ch Power MOSFET Feature 200 V VDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level 95 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 106 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 18 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switchi

Otros transistores... HGD170N10A, HGI170N10A, HGD170N10AL, HGI170N10AL, HGD190N15SL, HGD195N15S, HGD195N15SL, HGD1K2N20ML, AO3400, HGD210N12SL, HGD230N10A, HGD230N10AL, HGI230N10AL, HGD290N10SL, HGI290N10SL, HGD2K4N25ML, HGI2K4N25ML