HGI1K2N20ML MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HGI1K2N20ML
Маркировка: GI1K2N20ML
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 17.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 9.8 nC
Время нарастания (tr): 5 ns
Выходная емкость (Cd): 22 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.12 Ohm
Тип корпуса: TO-251
Аналог (замена) для HGI1K2N20ML
HGI1K2N20ML Datasheet (PDF)
..1. Size:946K cn hunteck
hgd1k2n20ml hgi1k2n20ml.pdf
hgd1k2n20ml hgi1k2n20ml.pdf
HGD1K2N20ML , HGI1K2N20ML P-1200V N-Ch Power MOSFETFeature200 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level95RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability106RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness18 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switchi
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
