Справочник MOSFET. HGI1K2N20ML

 

HGI1K2N20ML Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGI1K2N20ML
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для HGI1K2N20ML

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGI1K2N20ML Datasheet (PDF)

 ..1. Size:946K  cn hunteck
 hgd1k2n20ml hgi1k2n20ml.pdf pdf_icon

HGI1K2N20ML

HGD1K2N20ML , HGI1K2N20ML P-1200V N-Ch Power MOSFETFeature200 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level95RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability106RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness18 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switchi

Другие MOSFET... HGD170N10A , HGI170N10A , HGD170N10AL , HGI170N10AL , HGD190N15SL , HGD195N15S , HGD195N15SL , HGD1K2N20ML , IRF3710 , HGD210N12SL , HGD230N10A , HGD230N10AL , HGI230N10AL , HGD290N10SL , HGI290N10SL , HGD2K4N25ML , HGI2K4N25ML .

History: DH100P30D | FK3F0301 | FDS6680S | STN4260 | H7N1005LD | 2SK681A | BSC035N04LSG

 

 
Back to Top

 


 
.