HGD230N10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGD230N10A
Código: GD230N10A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 52 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 24 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 11 nC
Tiempo de subida (tr): 3 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 107 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGD230N10A
HGD230N10A Datasheet (PDF)
hgd230n10a.pdf
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P-1HGD230N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching22RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability31 AID (Slicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness24 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit
hgd230n10al hgi230n10al.pdf
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HGD230N10AL , HGI230N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level21.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability28RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness31 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested24 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication
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