HGD230N10A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGD230N10A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 107 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: TO-252

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HGD230N10A datasheet

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HGD230N10A

P-1 HGD230N10A 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching 22 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 31 A ID (Slicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 24 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit

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HGD230N10A

HGD230N10AL , HGI230N10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 21.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 28 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 31 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 24 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application

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