HGD230N10A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGD230N10A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 107 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGD230N10A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGD230N10A даташит

 ..1. Size:897K  cn hunteck
 hgd230n10a.pdf pdf_icon

HGD230N10A

P-1 HGD230N10A 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching 22 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 31 A ID (Slicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 24 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit

 0.1. Size:965K  cn hunteck
 hgd230n10al hgi230n10al.pdf pdf_icon

HGD230N10A

HGD230N10AL , HGI230N10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 21.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 28 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 31 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 24 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application

Другие IGBT... HGD170N10AL, HGI170N10AL, HGD190N15SL, HGD195N15S, HGD195N15SL, HGD1K2N20ML, HGI1K2N20ML, HGD210N12SL, IRF3710, HGD230N10AL, HGI230N10AL, HGD290N10SL, HGI290N10SL, HGD2K4N25ML, HGI2K4N25ML, HGD320N20S, HGD480N15M